IGBTとスーパージャンクションMOSFETのグローバル市場:タイプ別(IGBT、スーパージャンクションMOSFET)、用途別(エネルギー&電力、電気自動車、家電、インバータ&UPS)、地域別予測:2022-2032年

◆英語タイトル:Global IGBT and Super Junction MOSFET Market Size Study by Type (IGBT, Super Junction MOSFET), by Application (Energy & Power, Electric Vehicle, Consumer Electronics, Inverter & UPS), and Regional Forecasts 2022-2032

Bizwit Research & Consultingが発行した産業調査レポート(BZW25JA0826)◆商品コード:BZW25JA0826
◆発行会社(リサーチ会社):Bizwit Research & Consulting
◆発行日:2025年1月
◆ページ数:約200
◆レポート形式:英語 / PDF
◆納品方法:Eメール(受注後3営業日)
◆調査対象地域:グローバル
◆産業分野:電子
◆販売価格オプション(消費税別)
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※上記の日本語題名はH&Iグローバルリサーチが翻訳したものです。英語版原本には日本語表記はありません。
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※本調査レポートは英文PDF形式であり、当サイトに記載されている概要および目次は英語を日本語に自動翻訳されたものです。レポートの詳細については、サンプルでご確認いただけますようお願い致します。

❖ レポートの概要 ❖

IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場は、2023年に約146.8億米ドルと評価され、予測期間2024-2032年には12.2%の堅調な複合年間成長率(CAGR)が予測されている。 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)とスーパージャンクションMOSFETは、現代のパワーエレクトロニクスシステムのバックボーンとして機能する極めて重要なコンポーネントである。これらの半導体デバイスは、再生可能エネルギー・システムから電気自動車(EV)、産業オートメーションに至るまで、広範なアプリケーションにおける効率的なエネルギー変換と管理に不可欠です。電気自動車の急速な普及は、IGBTとスーパージャンクションMOSFET市場の成長を促進する主な要因である。グリーンモビリティの重視が高まる中、これらの部品はEVパワートレインの高効率化を可能にし、エネルギー損失を低減しながら最適な性能を実現するために不可欠である。さらに、風力発電所や太陽光発電所などの再生可能エネルギー設備の急激な増加により、これらの半導体が重要な役割を果たす高度な電力管理システムへの強い需要が生まれている。小型で高性能、エネルギー効率の高い部品を必要とする家電や産業用システムは、市場の成長をさらに加速させている。
有望な成長見通しとは裏腹に、市場はこれらのデバイスに関連する初期コストの高さや複雑な設計プロセスといった課題に直面している。しかし、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの半導体材料で進行中の技術進歩が、こうした課題を軽減すると期待されている。さらに、クリーンエネルギーやエネルギー効率の高い技術の採用を促進する政府の取り組みも、市場関係者に大きな成長機会をもたらすと思われる。
地域別では、急速な工業化、EVの普及拡大、再生可能エネルギーインフラへの旺盛な投資によって、アジア太平洋地域が予測期間中に市場を支配すると予想される。特に、中国とインドがこの成長に大きく貢献している。技術革新に重点を置き、再生可能エネルギー部門が確立されている北米も、かなりの市場シェアを占めている。一方、欧州は、厳しい環境規制と電動モビリティへのシフトの高まりに後押しされ、大きな成長を遂げる見通しである。
本レポートに含まれる主な市場プレイヤー
– インフィニオン・テクノロジーズAG
– 三菱電機株式会社
– 富士電機株式会社
– STマイクロエレクトロニクス
– オン・セミコンダクター株式会社
– ABB株式会社
– 株式会社東芝
– ルネサス エレクトロニクス株式会社
– 日立製作所
– バイセー・インターテクノロジー株式会社
– ロームセミコンダクタ
– セミクロン・インターナショナルGmbH
– リテルヒューズ
– マイクロチップ・テクノロジー社
– IXYS Corporation
市場の詳細なセグメントとサブセグメントを以下に説明します:
タイプ別
– IGBT
– スーパージャンクションMOSFET
アプリケーション別
– エネルギー・電力
– 電気自動車
– コンシューマー・エレクトロニクス
– インバータ&UPS
地域別
北米
– 米国
– カナダ
ヨーロッパ
– 英国
– ドイツ
– フランス
– スペイン
– イタリア
– その他のヨーロッパ
アジア太平洋
– 中国
– インド
– 日本
– オーストラリア
– 韓国
– その他のアジア太平洋地域
ラテンアメリカ
– ブラジル
– メキシコ
中東・アフリカ
– サウジアラビア
– 南アフリカ
– その他の中東・アフリカ
調査対象年は以下の通りである:
– 過去年 – 2022年
– 基準年 – 2023年
– 予測期間 – 2024年から2032年
主要なポイント
– 2022年から2032年までの10年間の市場推計と予測。
– 市場セグメントごとの地域レベルおよび年換算収益分析。
– 主要企業が採用した戦略を含む、競合状況の包括的分析。
– 需要サイドと供給サイドの市場ダイナミクスに関する洞察。
– 綿密な市場調査に基づく関係者への提言。


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❖ レポートの目次 ❖

目次
第1章.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場エグゼクティブサマリー
1.1.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場規模・予測(2022-2032年)
1.2.地域別概要
1.3.セグメント別概要
1.3.1.タイプ別
1.3.2.用途別
1.4.主要トレンド
1.5.景気後退の影響
1.6.アナリストの提言と結論
第2章.世界のIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場の定義と調査前提
2.1.調査目的
2.2.市場の定義
2.3.調査の前提
2.3.1.包含と除外
2.3.2.限界
2.3.3.供給サイドの分析
2.3.3.1.入手可能性
2.3.3.2.インフラ
2.3.3.3.規制環境
2.3.3.4.市場競争
2.3.3.5.経済性(消費者の視点)
2.3.4.需要サイド分析
2.3.4.1.規制の枠組み
2.3.4.2.技術の進歩
2.3.4.3.環境への配慮
2.3.4.4.消費者の意識と受容
2.4.推定方法
2.5.調査対象年
2.6.通貨換算レート
第3章.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場ダイナミクス
3.1.市場促進要因
3.1.1.電気自動車の急速な普及
3.1.2.再生可能エネルギー導入の急激な増加
3.1.3.コンシューマー・エレクトロニクスと産業システムにおける需要の増加
3.2.市場の課題
3.2.1.初期導入コストの高さ
3.2.2.複雑な設計プロセス
3.3.市場機会
3.3.1.半導体材料の進歩(SiCとGaN)
3.3.2.政府と民間企業の研究開発投資
3.3.3.新興市場・新興産業への進出
第4章.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場産業分析
4.1.ポーターの5フォースモデル
4.1.1.サプライヤーの交渉力
4.1.2.バイヤーの交渉力
4.1.3.新規参入者の脅威
4.1.4.代替品の脅威
4.1.5.競合他社との競争
4.1.6.ポーターの5フォースモデルへの未来的アプローチ
4.1.7.ポーター5フォースのインパクト分析
4.2.PESTEL分析
4.2.1.政治的
4.2.2.経済的
4.2.3.社会的
4.2.4.技術的
4.2.5.環境
4.2.6.法律
4.3.主な投資機会
4.4.トップ勝ち組戦略
4.5.破壊的トレンド
4.6.業界専門家の視点
4.7.アナリストの推奨と結論
第5章.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場規模とタイプ別予測 2022-2032
5.1.セグメントダッシュボード
5.2.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場:タイプ別売上動向分析、2022年および2032年 (百万米ドル/億ドル)
5.2.1.IGBT
5.2.2.スーパージャンクションMOSFET
第6章.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場規模と用途別予測 2022-2032
6.1.セグメントダッシュボード
6.2.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場アプリケーション別売上動向分析、2022年および2032年 (百万米ドル/億ドル)
6.2.1.エネルギーと電力
6.2.2.電気自動車
6.2.3.家電
6.2.4.インバーターとUPS
第7章.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場規模・地域別予測 2022-2032
7.1.北米のIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場
7.1.1.米国のIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場
7.1.1.1.タイプ別内訳規模と予測、2022~2032年
7.1.1.2.用途別市場規模予測、2022年~2032年
7.1.2.カナダのIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場
7.2.欧州のIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場
7.2.1.イギリスのIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場
7.2.2.ドイツのIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場
7.2.3.フランスのIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場
7.2.4.スペインのIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場
7.2.5.イタリアのIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場
7.2.6.その他のヨーロッパのIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場
7.3.アジア太平洋地域のIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場
7.3.1.中国IGBTとスーパージャンクションMOSFET市場
7.3.2.インドのIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場
7.3.3.日本のIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場
7.3.4.オーストラリアのIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場
7.3.5.韓国のIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場
7.3.6.その他のアジア太平洋地域のIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場
7.4.中南米のIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場
7.4.1.ブラジルのIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場
7.4.2.メキシコのIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場
7.4.3.その他のラテンアメリカのIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場
7.5.中東・アフリカのIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場
7.5.1.サウジアラビアのIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場
7.5.2.南アフリカのIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場
7.5.3.その他の中東・アフリカのIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場
第8章.競合他社の動向
8.1.主要企業のSWOT分析
8.1.1.インフィニオン・テクノロジーズAG
8.1.2.三菱電機株式会社
8.1.3.富士電機株式会社
8.2.トップ市場戦略
8.3.企業プロフィール
8.3.1.インフィニオンテクノロジーズAG
8.3.1.1.主要情報
8.3.1.2.概要
8.3.1.3.財務(データの入手可能性による)
8.3.1.4.製品概要
8.3.1.5.市場戦略
8.3.2.三菱電機株式会社
8.3.3.富士電機
8.3.4.STマイクロエレクトロニクス
8.3.5.オン・セミコンダクター
8.3.6.ABB Ltd.
8.3.7.株式会社東芝
8.3.8.ルネサス エレクトロニクス
8.3.9.株式会社日立製作所
8.3.10.ビシェイ・インターテクノロジー
第9章 研究プロセス研究プロセス
9.1.研究プロセス
9.1.1.データマイニング
9.1.2.分析
9.1.3.市場推定
9.1.4.バリデーション
9.1.5.出版
9.2.研究属性

表一覧
表1.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場、レポートスコープ
表2.IGBTおよびスーパージャンクションMOSFETの世界市場:地域別予測および2022-2032年(百万米ドル/億ドル)
表3.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場:タイプ別2022-2032年予測・比較(USD Million/Billion)
表4.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場 2022-2032年用途別見積もりと予測 (百万米ドル/億ドル)
表5.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場 コンポーネント別見積もりと予測 2022-2032 (百万米ドル/億ドル)
表6.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場 周波数帯域別見積もりと予測 2022-2032 (USD Million/Billion)
表7.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場 2022-2032年 エンドユース別推定と予測 (百万米ドル/億ドル)
表8.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場、セグメント別見積もりと予測、2022-2032年 (百万米ドル/億ドル)
表9.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場:地域別予測、2022年~2032年 (百万米ドル/億ドル)
表10.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場:セグメント別予測、2022年~2032年(USD Million/Billion)
表11.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場:地域別予測、2022年~2032年(USD Million/Billion)
表12.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場:セグメント別予測、2022-2032年 (百万米ドル/億ドル)
表13.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場:地域別予測、2022年~2032年(USD Million/Billion)
表14.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場:セグメント別予測、2022年~2032年(USD Million/Billion)
表15.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの米国市場 2022-2032年 推計・予測 (百万米ドル/億ドル)
表 16.米国のIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場のセグメント別見積もりと予測、2022~2032年 (百万米ドル/億ドル)
表17.米国のIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場のセグメント別見積もりと予測 2022-2032 (百万米ドル/億ドル)
表18.カナダのIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場の2022~2032年の推定と予測(百万米ドル/億ドル)
表 19.カナダのIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場のセグメント別見積もりと予測、2022~2032年 (百万米ドル/億ドル)
表 20.カナダのIGBTとスーパージャンクションMOSFETの2022~2032年セグメント別市場予測 (百万米ドル/億ドル)

このリストは完全なものではなく、最終レポートには100以上の表が含まれています。リストは最終成果物で更新される可能性があります。

図表一覧
図1.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場、調査手法
図2.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場、市場推定手法
図3.世界市場規模の推定と予測手法
図4.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場、主要動向2023年
図5.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場、2022-2032年の成長見通し
図6. IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場、ポーターの5フォースモデル
図7.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場、PESTEL分析
図8.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場、バリューチェーン分析
図9. IGBTおよびスーパージャンクションMOSFETの世界市場、セグメント別、2022年および2032年(百万ドル/億ドル)
図10.IGBTおよびスーパージャンクションMOSFETの世界市場、セグメント別、2022年および2032年(百万米ドル/億米ドル)
図11.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場、セグメント別、2022年と2032年 (百万米ドル/億米ドル)
図12.IGBTおよびスーパージャンクションMOSFETの世界市場、セグメント別、2022年および2032年 (百万米ドル/億米ドル)
図13.IGBTおよびスーパージャンクションMOSFETの世界市場、セグメント別、2022年および2032年 (百万米ドル/億米ドル)
図14.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場、地域別スナップショット、2022年と2032年
図15.北米のIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場、2022年と2032年 (百万ドル/億ドル)
図16.欧州のIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場 2022年と2032年 (百万米ドル/億米ドル)
図17.アジア太平洋地域のIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場 2022~2032年 (百万米ドル/億米ドル)
図 18.ラテンアメリカのIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場 2022 & 2032 (USD Million/Billion)
図 19.中東・アフリカのIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場 2022~2032年 (百万米ドル/億米ドル)
図 20.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場、企業市場シェア分析(2023年)

このリストは完全なものではなく、最終レポートには50以上の図表が含まれています。リストは最終成果物で更新される可能性があります。

The Global IGBT and Super Junction MOSFET Market is valued at approximately USD 14.68 billion in 2023 and is projected to experience a robust compound annual growth rate (CAGR) of 12.2% over the forecast period 2024-2032 Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) and Super Junction MOSFETs are pivotal components that serve as the backbone of modern power electronic systems. These semiconductor devices are indispensable for efficient energy conversion and management in a wide spectrum of applications, ranging from renewable energy systems to electric vehicles (EVs) and industrial automation.
The surging adoption of electric vehicles is a primary driver fueling the growth of the IGBT and Super Junction MOSFET market. With increasing emphasis on green mobility, these components are vital for enabling high efficiency in EV powertrains, delivering optimal performance while reducing energy losses. Moreover, the exponential rise in renewable energy installations, such as wind and solar power plants, has created a strong demand for advanced power management systems, where these semiconductors play a crucial role. Consumer electronics and industrial systems, which demand compact, high-performance, and energy-efficient components, are further amplifying market growth.
Despite the promising growth outlook, the market faces challenges such as high initial costs and complex design processes associated with these devices. However, ongoing technological advancements in semiconductor materials, such as silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN), are expected to mitigate these challenges. Additionally, government initiatives promoting the adoption of clean energy and energy-efficient technologies are likely to create significant growth opportunities for market players.
Geographically, the Asia-Pacific region is anticipated to dominate the market during the forecast period, driven by rapid industrialization, increasing EV adoption, and strong investments in renewable energy infrastructure. China and India, in particular, are leading contributors to this growth. North America, characterized by its robust focus on technological innovation and a well-established renewable energy sector, also holds substantial market share. Meanwhile, Europe is poised to witness significant growth, fueled by stringent environmental regulations and a growing shift toward electric mobility.
Major market players included in this report are:
• Infineon Technologies AG
• Mitsubishi Electric Corporation
• Fuji Electric Co., Ltd.
• STMicroelectronics
• ON Semiconductor Corporation
• ABB Ltd.
• Toshiba Corporation
• Renesas Electronics Corporation
• Hitachi Ltd.
• Vishay Intertechnology, Inc.
• ROHM Semiconductor
• SEMIKRON International GmbH
• Littelfuse, Inc.
• Microchip Technology Inc.
• IXYS Corporation
The detailed segments and sub-segments of the market are explained below:
By Type
• IGBT
• Super Junction MOSFET
By Application
• Energy & Power
• Electric Vehicle
• Consumer Electronics
• Inverter & UPS
By Region:
North America
• U.S.
• Canada
Europe
• UK
• Germany
• France
• Spain
• Italy
• Rest of Europe
Asia Pacific
• China
• India
• Japan
• Australia
• South Korea
• Rest of Asia Pacific
Latin America
• Brazil
• Mexico
Middle East & Africa
• Saudi Arabia
• South Africa
• Rest of Middle East & Africa
Years considered for the study are as follows:
• Historical year – 2022
• Base year – 2023
• Forecast period – 2024 to 2032
Key Takeaways:
• Market estimates and forecasts for a 10-year period from 2022 to 2032.
• Regional-level and annualized revenue analysis for each market segment.
• Comprehensive analysis of the competitive landscape, including strategies adopted by key players.
• Insights into demand-side and supply-side market dynamics.
• Recommendations for stakeholders based on in-depth market research.

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