ゲートドライバICの世界市場:トランジスタタイプ(MOSFET、IGBT)、半導体材料(Si、SiC、GaN)、実装形態(オンチップ、ディスクリート)、絶縁技術(磁気絶縁、容量性絶縁、光絶縁)、用途(住宅、産業、商業)、地域別 2024-2032

◆英語タイトル:Gate Driver IC Market Report by Transistor Type (MOSFET, IGBT), Semiconductor Material (Si, SiC, GaN), Mode of Attachment (On-Chip, Discrete), Isolation Technique (Magnetic Isolation, Capacitive Isolation, Optical Isolation), Application (Residential, Industrial, Commercial), and Region 2024-2032

IMARCが発行した産業調査レポート(IMA05FE-Z1179)◆商品コード:IMA05FE-Z1179
◆発行会社(リサーチ会社):IMARC
◆発行日:2024年7月
◆ページ数:145
◆レポート形式:英語 / PDF
◆納品方法:Eメール
◆調査対象地域:世界、日本
◆産業分野:エレクトロニクスと半導体
◆販売価格オプション(消費税別)
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※本調査レポートは英文PDF形式であり、当サイトに記載されている概要および目次は英語を日本語に自動翻訳されたものです。レポートの詳細については、サンプルでご確認いただけますようお願い致します。

❖ レポートの概要 ❖

世界のゲートドライバIC市場規模は2023年に15億米ドルに達した。今後、IMARC Groupは、2024年から2032年にかけて5.2%の成長率(CAGR)を示し、2032年には24億米ドルに達すると予測している。同市場は、特に新興経済圏における急速な都市化とインフラ整備、世界的な持続可能性への注目の高まり、製造プロセスにおける継続的な技術進歩に牽引され、着実な成長を遂げている。
ゲートドライバIC市場の分析
主な市場牽引要因電気自動車(EV)の普及により、電力を効率的に管理・供給するために不可欠なゲートドライバICの需要が高まっている。さらに、再生可能エネルギーシステム、特に太陽光発電と風力発電への支出の増加により、エネルギー変換と出力を強化するスマートゲートドライバICの需要が増加している。
主な市場動向:ゲート・ドライバIC市場の主な動向の1つに、高性能でコンパクトなシステム・サイズを実現するために、小型化と集積化をサポートするゲート・ドライバICに対する需要の増加がある。また、炭化ケイ素(SiC)と窒化ガリウム(GaN)技術は、より高い効率と熱性能を提供することができる。これらの特性は、高性能パワー・アプリケーションに理想的である。
地理的動向:アジア太平洋地域は、大規模な電子機器製造基盤があるため最大の市場であり、中国や日本などの国々でEV販売が伸びているため、重要なゲートドライバIC市場となっている。北米と欧州市場も、再生可能な最先端自動車技術における主要な注目分野である。
競争環境:ゲート・ドライバIC市場の分析によると、市場はInfineon Technologies、Texas Instruments、オン・セミコンダクターが主要な革新的企業として市場での地位を維持しようとしており、競争が激しい。各社は、製品ポートフォリオと市場での存在感を高めるため、M&Aや戦略的パートナーシップなどの戦略を駆使している。
課題と機会:炭化ケイ素(SiC)および窒化ガリウム(GaN)アドバンスト・ゲート・ドライバICの開発に伴う複雑さと価格の連動性は、大きな成長要因となる。しかし、これはまた、コスト効率の高い代替品を持つベンダーが、さまざまなアプリケーションで高効率電源の採用が増加していることを利用する機会にもなる。

ゲート・ドライバIC市場の動向:
電気自動車(EV)の採用増加

電気自動車(EV)の需要増加も、世界のゲートドライバIC市場成長の主要な市場ドライバーである。世界中で多様なEV実証事業が実施され続けており、クリーンエネルギー推進が世界標準になりつつあるため、EVの販売が増加している。さらに、電気自動車(EV)のパワートレインにゲートドライバICを使用することで、電気モーターやインバータの性能を向上させ、電力管理や効率化に大きな影響を与える。市場調査報告書によると、世界の電気自動車市場規模は2023年に2,560万台に達した。IMARC Groupは、同市場は2032年までに3億8130万台に達し、2024~2032年の間に34%の成長率(CAGR)を示すと予測している。このため、ゲートドライバIC市場の収益を大きく支えている。さらに、半導体分野の技術革新により、高性能ゲート・ドライバICの小型化・高効率化が進み、EV分野への導入が進んでいる。さらに、自律走行車やコネクテッドカーへの移行に伴い、高度な電源管理ソリューションも必要とされている。そのため、これが市場を大きく支えている。

再生可能エネルギー・システムの需要拡大

世界レベルで太陽光発電や風力発電などの再生可能エネルギーへの傾斜が強まっていることが、ゲート・ドライバICの需要を後押ししている。これには、再生可能エネルギー・システムで使用されるパワー・インバータやコンバータが含まれる。これは、ソーラーパネルや風力タービンで生産される直流電力を、グリッドに準拠した交流電力に変換する、コスト効率と信頼性の高い製品です。気候変動と戦い、化石燃料への依存を減らすために、政府や世界的な組織が再生可能エネルギー・インフラへの投資を増やしているため、電源管理ソリューションへのニーズが高まっている。これに伴い、ゲート・ドライバICは、正確なパワーエレクトロニクス・デバイス制御による再生可能エネルギー・システムの性能と効率の改善、エネルギー効率の向上、システムの安定性の改善などのアプリケーションを実現する上で重要な役割を果たしている。このため、ゲート・ドライバICの需要が高まっている。さらに、スマートグリッド技術や再生可能エネルギー源を利用したエネルギー貯蔵システムの浸透により、より高度なパワーエレクトロニクスへのニーズが加速していることも、市場を後押ししている。

産業オートメーションの進歩

産業オートメーションが普及し、スマートな製造方法がますます採用されるようになっており、これがゲート・ドライバIC市場の成長を促進する主な要因となっている。ゲート・ドライバICは、現代の産業用アプリケーションにおけるモーター駆動、ロボット工学、自動機械のパワーエレクトロニクスの制御に不可欠である。これらのICは、電力管理を合理化し、動作時のシステム性能を向上させ、自動化システムの信頼性を高める。これとともに、製造プロセスにおける精度、効率、柔軟性に対する要求の高まりが、ゲート・ドライバICの採用を促進している。さらに、インダストリー4.0(工業/生産業務へのデジタル技術の統合を推進)への市場の注目の高まりも、高度なパワーエレクトロニクス・ソリューションの需要を支えている。ゲート・ドライバICは、相互接続されたスマートな産業用デバイスの動作を促進し、予知保全、リアルタイム監視、省エネを実現する。さらに、半導体技術の継続的な進歩により、高性能ゲート・ドライバが導入され、ゲート・ドライバIC市場の見通しが明るくなっている。

ゲートドライバIC市場のセグメンテーション
IMARC Groupは、世界のゲートドライバIC市場レポートの各セグメントにおける主要動向の分析と、2024年から2032年までの世界、地域、国レベルでの予測を提供しています。当レポートでは、トランジスタタイプ、半導体材料、取り付けモード、絶縁技術、アプリケーションに基づいて市場を分類しています。

トランジスタタイプ別内訳

MOSFET
IGBT

MOSFETが市場を独占

本レポートでは、トランジスタタイプ別に市場を詳細に分類・分析している。これにはMOSFETとIGBTが含まれる。それによると、MOSFETが最大のセグメントを占めている。

MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor:金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ)は、回路への幅広い応用分野とMOSFETの高性能特性により、トランジスタの主要タイプとなっている。高効率、高速スイッチング特性、さまざまな電子回路への組み込みの容易さから、これらのトランジスタは民生用電子機器や産業用電源管理アプリケーションの分野で不可欠な役割を果たしている。ゲート・ドライバIC市場予測によると、小型化と低エネルギー・ソリューションに対するニーズの高まりが、特に電気自動車やエネルギー・ハーベスティング・アプリケーション、IoTに理想的なアプリケーションを見出す遠隔制御デバイスにおいて、MOSFETの採用を促進している。さらに、熱処理の改善やオン抵抗の低減など、MOSFET技術の向上がMOSFETの耐久性と有効性を高め、トランジスタ市場におけるリーダーシップを確立している。

半導体材料別内訳:

Si
SiC
GaN

Siがトップシェア

本レポートでは、半導体材料に基づく市場の詳細な分類と分析も行っている。これにはSi、SiC、GaNが含まれる。報告書によると、Siが最大の市場シェアを占めている。

シリコン(Si)は、豊富なシリコン、低コスト、確立された製造プロセスにより、市場最大の半導体材料セグメントである。ゲートドライバIC市場レポートによると、シリコンを重要視する特質は、高い電子移動度と安定性を含む優れた電気特性であり、マイクロプロセッサからメモリチップ、パワーエレクトロニクスに至るまで、膨大な数の半導体デバイスに不可欠な材料となっている。その汎用性と信頼性は、家電から自動車、産業用途まで、さまざまな分野の現代技術の進歩における高性能材料の多様化において、その地位を確立するのに役立っている。さらに、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの代替材料が特殊な用途向けに登場したにもかかわらず、シリコン半導体製造に関する膨大なインフラがシリコンの地位を支えてきたもう一つの要因でもある。

付着形態別内訳:

オンチップ
ディスクリート

ディスクリートが最大シェア

本レポートでは、装着形態に基づく市場の詳細な分類と分析も行っている。これにはオンチップとディスクリートが含まれる。同レポートによると、ディスクリートが最大の市場シェアを占めている。

ゲートドライバIC市場の概要によると、ディスクリートデバイスは主要機能を満たし、電子回路設計に必要な柔軟性を可能にするため、半導体市場の支配的なセグメントである。個々にパッケージされたキャニスターの中には、トランジスタ、ダイオード、抵抗などが入っており、設計者は回路性能の特定のパラメータを調整し、微調整することができる。ディスクリート・アタッチメントは、部品を配置する場所とその性能を細かく制御できる方法であるため、車載、産業用、民生用などの高信頼性と高出力のアプリケーションには不可欠です。さらに、ディスクリート部品に対する継続的な需要は、これらの部品の交換や修理のプロセスが簡単であることや、さまざまな回路基板設計に適合することから生じています。このような柔軟性と適応性により、ディスクリート部品はゲートドライバIC業界をリードし続け、現代のエレクトロニクスが生み出す多様で異質な要件に対応しています。

絶縁技術によるブレークアップ

磁気絶縁
容量性絶縁
光絶縁

光絶縁が市場を独占

本レポートでは、絶縁技術に基づく市場の詳細な分類と分析も行っています。これには磁気絶縁、容量性絶縁、光絶縁が含まれる。報告書によると、光絶縁が最大の市場シェアを占めている。

光絶縁は、回路の異なる部分間で電気的絶縁と信号伝送を提供することができるゲートドライバIC市場の最近の開発の1つであるため、市場シェアの最大部分を占めている市場セグメントです。光を使って絶縁バリア上で情報を伝達することで、高電圧側がシステムの制御側に直接影響しないようにし、敏感な電子機器とユーザーを保護します。さらに、従来のアプリケーションには、産業オートメーション、電源、通信システムで使用される光アイソレータがあり、これらのデバイスは高温で動作する能力と低いノイズ感受性が評価されている。さらに、セキュリティ機能が向上し、信号の明瞭度が向上した高度な電子システムに対するニーズの高まりが、光アイソレータの需要に影響を与え、市場の優位性を再確認しています。さらに、オプトエレクトロニクス部品とデバイスの技術向上は、光アイソレータの性能と効率を継続的に向上させており、ゲートドライバーIC市場の最近の機会として機能しています。

アプリケーション別内訳

住宅用
産業用
商業

本レポートでは、用途に基づく市場の詳細な分類と分析も行っている。これには住宅用、工業用、商業用が含まれる。

地域別の内訳

北米
アメリカ
カナダ
アジア太平洋
中国
日本
インド
韓国
オーストラリア
インドネシア
その他
ヨーロッパ
ドイツ
フランス
イギリス
イタリア
スペイン
ロシア
その他
ラテンアメリカ
ブラジル
メキシコ
その他
中東・アフリカ

アジア太平洋地域が明確な優位性を示し、ゲートドライバIC市場で最大のシェアを占める

本レポートでは、北米(米国、カナダ)、欧州(ドイツ、フランス、英国、イタリア、スペイン、ロシア、その他)、アジア太平洋(中国、日本、インド、韓国、オーストラリア、インドネシア、その他)、中南米(ブラジル、メキシコ、その他)、中東・アフリカの主要地域市場についても包括的に分析している。同レポートによると、アジア太平洋地域が最大の市場となっている。

アジア太平洋地域が市場規模をリードしているのは、主にその業務効率と強固なサプライチェーン、そして技術への莫大な投資による進歩の成長見通しによるものである。この地域は、民生用電子機器、自動車用電子機器、産業用電子機器、電子機器など、あらゆる種類の電子機器の生産拠点となっている。さらに、この地域の市場支配力は、半導体製造工場やファウンドリーの豊富さ、政府の強力なバックアップと有益な政策によってさらに強化されている。これとは別に、この地域は5G、人工知能、電気自動車などの洗練された技術を急速なペースで採用しており、これらのタイプの高度な半導体部品が必要となる。さらに、最大のゲートドライバIC市場シェアを持つアジア太平洋地域は、世界的に成長する半導体製造技術エコシステムに対応するための煩雑な研究開発への持続的投資により、その地位を維持している。

競争状況:
市場調査レポートは、市場の競争環境についても包括的な分析を提供しています。すべての主要企業の詳細なプロフィールも提供しています。ゲートドライバIC業界の主要な市場プレイヤーをいくつか紹介する:

日立パワーセミコンダクタデバイス(日立製作所)
インフィニオンテクノロジーズAG
マイクロチップ・テクノロジー社
マウザーエレクトロニクス(TTI Inc.)
NXPセミコンダクターズN.V.
オンセミ
ルネサス エレクトロニクス
ロームセミコンダクター
セムテック・コーポレーション
STマイクロエレクトロニクス
テキサス・インスツルメンツ
株式会社東芝

(なお、これは主要プレーヤーの一部のリストであり、完全なリストは報告書に記載されている)

主要企業は、能力を拡大し競争力を維持するために研究開発に投資している。さらに、ゲートドライバIC企業の関心は、ハイパワーアプリケーションで最高のパフォーマンスと省エネルギーを可能にする半導体材料(SiC、GaN)に関連する技術革新にある。これに伴い、各社は市場のフットプリントを拡大し、技術を共同開発するための戦略的パートナーシップや提携を模索し続けている。さらに、EUVリソグラフィーのような先進的な手法の開発・採用だけでなく、製造能力の向上への投資も加速しており、より小型で高性能なチップの製造が可能になっている。これらの行動は、5G、人工知能、電気自動車を含む新しい技術によって引き出されるチップの需要の高まりに対応するためのものである。

ゲートドライバIC市場ニュース:
2024年6月6日:Infineon Technologies AGは、ワンタップ認証とセキュアなIoTデバイス設計を可能にする高性能NFC I2Cブリッジタグ、OPTIGA™ Authenticate NBTを発売した。同社によると、これはNFCプラットフォームVerified 4タグによるアクティビティ、およびタイプに署名して検証するため、市場で唯一の非対称暗号タグである。
2024年4月19日:日立パワーセミコンダクタデバイスとSagar Semiconductors Pvt.は、IGBTやSiCなどのハイパワーデバイスの販売、高耐圧ダイオードに関する新製品開発および技術移転で協業する覚書を締結した。この協業は、インドの半導体エコシステムをさらに強化する取り組みであり、「メイク・イン・インド」イニシアチブを支援するものである。

本レポートで扱う主な質問
ゲートドライバICの世界市場はこれまでどのように推移してきたか?
世界のゲートドライバーIC市場における促進要因、阻害要因、機会は何か?
各ドライバー、阻害要因、機会が世界のゲートドライバーIC市場に与える影響は?
主要な地域市場は?
最も魅力的なゲートドライバIC市場はどの国か?
トランジスタの種類による市場の内訳は?
ゲートドライバIC市場で最も魅力的なトランジスタタイプは?
半導体材料別の内訳は?
ゲートドライバIC市場で最も魅力的な半導体材料は?
ゲートドライバIC市場の装着形態別の内訳は?
ゲートドライバIC市場で最も魅力的な装着形態は?
分離技術に基づく市場の内訳は?
ゲートドライバIC市場で最も魅力的な絶縁技術は?
アプリケーション別の内訳は?
ゲートドライバIC市場で最も魅力的なアプリケーションは?
市場の競争構造は?
世界のゲートドライバIC市場における主要プレイヤー/企業は?


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❖ レポートの目次 ❖

1 序文
2 調査範囲と方法論
2.1 調査の目的
2.2 ステークホルダー
2.3 データソース
2.3.1 一次情報源
2.3.2 二次情報源
2.4 市場推定
2.4.1 ボトムアップ・アプローチ
2.4.2 トップダウンアプローチ
2.5 予測方法
3 エグゼクティブ・サマリー
4 はじめに
4.1 概要
4.2 主要産業動向
5 世界のゲートドライバIC市場
5.1 市場概要
5.2 市場パフォーマンス
5.3 COVID-19の影響
5.4 市場予測
6 トランジスタタイプ別市場
6.1 MOSFET
6.1.1 市場動向
6.1.2 市場予測
6.2 IGBT
6.2.1 市場動向
6.2.2 市場予測
7 半導体材料別市場内訳
7.1 Si
7.1.1 市場動向
7.1.2 市場予測
7.2 SiC
7.2.1 市場動向
7.2.2 市場予測
7.3 GaN
7.3.1 市場動向
7.3.2 市場予測
8 貼付方式別市場内訳
8.1 オンチップ
8.1.1 市場動向
8.1.2 市場予測
8.2 ディスクリート
8.2.1 市場動向
8.2.2 市場予測
9 アイソレーション技術別市場内訳
9.1 磁気絶縁
9.1.1 市場動向
9.1.2 市場予測
9.2 静電容量式アイソレーション
9.2.1 市場動向
9.2.2 市場予測
9.3 光絶縁
9.3.1 市場動向
9.3.2 市場予測
10 用途別市場
10.1 家庭用
10.1.1 市場動向
10.1.2 市場予測
10.2 産業用
10.2.1 市場動向
10.2.2 市場予測
10.3 業務用
10.3.1 市場動向
10.3.2 市場予測
11 地域別市場内訳
11.1 北米
11.1.1 米国
11.1.1.1 市場動向
11.1.1.2 市場予測
11.1.2 カナダ
11.1.2.1 市場動向
11.1.2.2 市場予測
11.2 アジア太平洋
11.2.1 中国
11.2.1.1 市場動向
11.2.1.2 市場予測
11.2.2 日本
11.2.2.1 市場動向
11.2.2.2 市場予測
11.2.3 インド
11.2.3.1 市場動向
11.2.3.2 市場予測
11.2.4 韓国
11.2.4.1 市場動向
11.2.4.2 市場予測
11.2.5 オーストラリア
11.2.5.1 市場動向
11.2.5.2 市場予測
11.2.6 インドネシア
11.2.6.1 市場動向
11.2.6.2 市場予測
11.2.7 その他
11.2.7.1 市場動向
11.2.7.2 市場予測
11.3 欧州
11.3.1 ドイツ
11.3.1.1 市場動向
11.3.1.2 市場予測
11.3.2 フランス
11.3.2.1 市場動向
11.3.2.2 市場予測
11.3.3 イギリス
11.3.3.1 市場動向
11.3.3.2 市場予測
11.3.4 イタリア
11.3.4.1 市場動向
11.3.4.2 市場予測
11.3.5 スペイン
11.3.5.1 市場動向
11.3.5.2 市場予測
11.3.6 ロシア
11.3.6.1 市場動向
11.3.6.2 市場予測
11.3.7 その他
11.3.7.1 市場動向
11.3.7.2 市場予測
11.4 中南米
11.4.1 ブラジル
11.4.1.1 市場動向
11.4.1.2 市場予測
11.4.2 メキシコ
11.4.2.1 市場動向
11.4.2.2 市場予測
11.4.3 その他
11.4.3.1 市場動向
11.4.3.2 市場予測
11.5 中東・アフリカ
11.5.1 市場動向
11.5.2 国別市場内訳
11.5.3 市場予測
12 SWOT分析
12.1 概要
12.2 長所
12.3 弱点
12.4 機会
12.5 脅威
13 バリューチェーン分析
14 ポーターズファイブフォース分析
14.1 概要
14.2 買い手の交渉力
14.3 供給者の交渉力
14.4 競争の程度
14.5 新規参入の脅威
14.6 代替品の脅威
15 価格分析
16 競争環境
16.1 市場構造
16.2 主要プレーヤー
16.3 主要プレーヤーのプロフィール
16.3.1 日立パワーセミコンダクタデバイス(株式会社日立製作所)
16.3.1.1 会社概要
16.3.1.2 製品ポートフォリオ
16.3.2 インフィニオンテクノロジーズAG
16.3.2.1 会社概要
16.3.2.2 製品ポートフォリオ
16.3.2.3 財務
16.3.2.4 SWOT分析
16.3.3 マイクロチップ・テクノロジー社
16.3.3.1 会社概要
16.3.3.2 製品ポートフォリオ
16.3.3.3 財務
16.3.3.4 SWOT分析
16.3.4 マウザーエレクトロニクス(TTI社、バークシャー・ハサウェイ社)
16.3.4.1 会社概要
16.3.4.2 製品ポートフォリオ
16.3.5 NXPセミコンダクターズN.V.
16.3.5.1 会社概要
16.3.5.2 製品ポートフォリオ
16.3.5.3 財務
16.3.5.4 SWOT分析
16.3.6 オンセミ
16.3.6.1 会社概要
16.3.6.2 製品ポートフォリオ
16.3.6.3 財務
16.3.6.4 SWOT分析
16.3.7 ルネサス エレクトロニクス
16.3.7.1 会社概要
16.3.7.2 製品ポートフォリオ
16.3.7.3 財務
16.3.7.4 SWOT分析
16.3.8 ローム・セミコンダクター
16.3.8.1 会社概要
16.3.8.2 製品ポートフォリオ
16.3.8.3 財務
16.3.8.4 SWOT分析
16.3.9 セムテック・コーポレーション
16.3.9.1 会社概要
16.3.9.2 製品ポートフォリオ
16.3.9.3 財務
16.3.10 STMマイクロエレクトロニクス
16.3.10.1 会社概要
16.3.10.2 製品ポートフォリオ
16.3.11 テキサス・インスツルメンツ・インコーポレイテッド
16.3.11.1 会社概要
16.3.11.2 製品ポートフォリオ
16.3.11.3 財務
16.3.11.4 SWOT分析
16.3.12 株式会社東芝
16.3.12.1 会社概要
16.3.12.2 製品ポートフォリオ
16.3.12.3 財務
16.3.12.4 SWOT分析

[図表一覧]
表1: 世界のゲートドライバIC市場:主要産業ハイライト、2023年および2032年
表2:ゲートドライバICの世界市場予測:ゲートドライバICの世界市場予測:トランジスタタイプ別構成比(単位:百万米ドル)、2024年~2032年
表3:ゲートドライバICの世界市場予測:ゲートドライバICの世界市場予測:半導体材料別構成比(単位:百万米ドル)、2024年~2032年
表4:ゲートドライバーICの世界市場予測:ゲートドライバーICの世界市場予測:装着形態別構成比(単位:百万米ドル)、2024年~2032年
表5:ゲートドライバーICの世界市場予測:絶縁技術別構成比(単位:百万米ドル)、2024-2032年
表6:ゲートドライバICの世界市場予測:ゲートドライバICの世界市場予測:用途別構成比(単位:百万米ドル)、2024年~2032年
表7:ゲートドライバICの世界市場予測:ゲートドライバーICの世界市場予測:地域別構成比(単位:百万米ドル)、2024年~2032年
表8:ゲートドライバICの世界市場:ゲートドライバICの世界市場:競争構造
表9:ゲートドライバICの世界市場:競争構造主要プレイヤー

図1: 世界のゲートドライバーIC市場:主な推進要因と課題
図2:ゲートドライバICの世界市場:販売金額(単位:億米ドル)、2018年~2023年
図3:ゲートドライバICの世界市場予測:ゲートドライバICの世界市場予測:販売金額(単位:億米ドル)、2024年~2032年
図4:ゲートドライバICの世界市場:図4:ゲートドライバICの世界市場:トランジスタタイプ別構成比(単位:%)、2023年
図5:ゲートドライバICの世界市場:ゲートドライバICの世界市場:半導体材料別構成比(%)、2023年
図6:ゲートドライバICの世界市場:図6:ゲートドライバICの世界市場:装着形態別構成比(%)、2023年
図7:ゲートドライバICの世界市場:ゲートドライバICの世界市場:絶縁技術別構成比 (%), 2023
図8:ゲートドライバICの世界市場:ゲートドライバICの世界市場:用途別構成比(%)、2023年
図9:ゲートドライバICの世界市場:ゲートドライバICの世界市場:地域別構成比(%)、2023年
図10: ゲートドライバIC(MOSFET)の世界市場:販売金額(単位:百万米ドル)、2018年・2023年
図11: ゲートドライバIC(MOSFET)の世界市場予測:販売金額(単位:百万米ドル)、2024年~2032年
図12: ゲートドライバーIC(IGBT)の世界市場:販売金額(単位:百万米ドル)、2018年・2023年
図13:ゲートドライバIC(IGBT)の世界市場予測:販売金額(単位:百万米ドル)、2024年~2032年
図14:ゲートドライバIC(Si)の世界市場:販売金額(単位:百万米ドル)、2018年・2023年
図15:ゲートドライバIC(Si)の世界市場予測:販売金額(単位:百万米ドル)、2024年~2032年
図16: ゲートドライバーIC(SiC)の世界市場:販売金額(単位:百万USドル)、2018年・2023年
図17:ゲートドライバIC(SiC)の世界市場予測:販売金額(単位:百万米ドル)、2024年~2032年
図18:ゲートドライバIC(GaN)の世界市場:販売金額(単位:百万米ドル)、2018年・2023年
図19:ゲートドライバIC(GaN)の世界市場予測:販売金額(単位:百万米ドル)、2024年~2032年
図20:ゲートドライバIC(オンチップ)の世界市場:販売金額(単位:百万米ドル)、2018年および2023年
図21:ゲートドライバIC(オンチップ)の世界市場予測:販売金額(単位:百万USドル)、2024年~2032年
図22:ゲートドライバICの世界市場(ディスクリート):販売金額(単位:百万USドル)、2018年・2023年
図23:ゲートドライバIC(ディスクリート)の世界市場予測:販売金額(単位:百万米ドル)、2024年~2032年
図24:ゲートドライバIC(磁気絶縁型)の世界市場:販売金額(単位:百万USドル販売金額(単位:百万米ドル)、2018年および2023年
図25:世界:ゲートドライバIC(磁気分離)市場予測:販売金額(単位:百万USドル)、2024年~2032年
図26:世界:ゲートドライバIC(静電容量絶縁)市場:販売金額(単位:百万USドル)、2018年・2023年
図27:世界:ゲートドライバIC(容量絶縁)市場予測:販売金額(単位:百万USドル)、2024年~2032年
図28:世界:ゲートドライバIC(光絶縁)市場:販売金額(単位:百万USドル)、2018年・2023年
図29: ゲートドライバーIC(光絶縁)の世界市場世界:ゲートドライバIC(光絶縁)市場予測:販売金額(単位:百万USドル)、2024年~2032年
図30:世界:ゲートドライバIC(住宅用)市場:販売金額(単位:百万USドル)、2018年・2023年
図31:世界:ゲートドライバIC(住宅用)市場予測:販売金額(単位:百万米ドル)、2024年~2032年
図32:世界:ゲートドライバIC(産業用)市場:販売金額(単位:百万米ドル)、2018年および2023年
図33:世界:ゲートドライバーIC(産業用)市場予測:販売金額(単位:百万米ドル)、2024年~2032年
図34:ゲートドライバICの世界市場(業務用):販売金額(単位:百万米ドル)、2018年および2023年
図35:世界:ゲートドライバIC(商用)市場予測:販売金額(単位:百万米ドル)、2024年~2032年
図36:北米:ゲートドライバーICゲートドライバIC市場:販売金額(単位:百万米ドル)、2018年および2023年
図37:北米:ゲートドライバーIC市場予測:2018年ゲートドライバーIC市場の予測:販売金額(単位:百万米ドル)、2024年~2032年
図 38:米国:ゲートドライバーIC市場予測ゲートドライバーIC市場:販売金額(単位:百万米ドル)、2018年および2023年
図39:米国:ゲートドライバーICゲートドライバーIC市場予測:販売金額(単位:百万米ドル)、2024年~2032年
図40:カナダ:ゲートドライバーIC市場:販売金額(単位:百万米ドル)、2018年および2023年
図41:カナダ:ゲートドライバーICゲートドライバーIC市場予測:販売金額(単位:百万米ドル)、2024年~2032年
図42:アジア太平洋:ゲートドライバーIC市場:販売金額(単位:百万米ドル)、2018年および2023年
図43:アジア太平洋地域のゲートドライバーIC市場予測:販売金額(単位:百万米ドル)、2024年~2032年
図44:中国:ゲートドライバーIC市場予測ゲートドライバIC市場:販売金額(単位:百万米ドル)、2018年および2023年
図45:中国:ゲートドライバーICゲートドライバーIC市場予測:販売金額(単位:百万米ドル)、2024年~2032年
図46:日本:ゲートドライバーIC市場予測ゲートドライバーIC市場:販売金額(単位:百万米ドル)、2018年および2023年
図47:日本:ゲートドライバーIC市場予測ゲートドライバIC市場予測:販売金額(単位:百万米ドル)、2024年~2032年
図48:インド:ゲートドライバーIC市場予測ゲートドライバーIC市場:販売金額(単位:百万米ドル)、2018年および2023年
図49:インド:ゲートドライバーICゲートドライバーIC市場予測:販売金額(単位:百万米ドル)、2024年~2032年
図50: 韓国:ゲートドライバーIC市場:販売金額(単位:百万USドル)、2018年および2023年
図51:韓国:ゲートドライバーIC市場予測:2024年~2032年ゲートドライバーIC市場の予測:販売金額(単位:百万USドル)、2024年~2032年
図 52:オーストラリア:ゲートドライバーICゲートドライバーIC市場:販売金額(単位:百万米ドル)、2018年および2023年
図53:オーストラリア:ゲートドライバーICゲートドライバーIC市場の予測:販売金額(単位:百万米ドル)、2024年~2032年
図54:インドネシア:ゲートドライバーIC市場予測ゲートドライバーIC市場:販売金額(単位:百万USドル)、2018年および2023年
図55:インドネシア:ゲートドライバーICゲートドライバーIC市場予測:販売金額(単位:百万USドル)、2024年~2032年
図56:その他:ゲートドライバーIC市場:販売金額(単位:百万米ドル)、2018年および2023年
図57:その他:ゲートドライバーICゲートドライバIC市場予測:販売金額(単位:百万米ドル)、2024年~2032年
図58:欧州:ゲートドライバIC市場:販売金額(単位:百万米ドル)、2018年および2023年
図59:欧州:ゲートドライバーICゲートドライバーIC市場予測:販売金額(単位:百万米ドル)、2024年~2032年
図60: ドイツ:ゲートドライバーIC市場:販売金額(単位:百万USドル)、2018年および2023年
図61:ドイツ:ゲートドライバーIC市場予測:2024年~2032年ゲートドライバーIC市場予測:販売金額(単位:百万USドル)、2024年~2032年
図62:フランス:ゲートドライバーICゲートドライバーIC市場:販売金額(単位:百万USドル)、2018年および2023年
図63:フランス:ゲートドライバーICゲートドライバーIC市場の予測:販売金額(単位:百万USドル)、2024年~2032年
図64:イギリス:ゲートドライバーIC市場予測ゲートドライバーIC市場:販売金額(単位:百万米ドル)、2018年および2023年
図65:イギリス:ゲートドライバーICゲートドライバーIC市場予測:販売金額(単位:百万米ドル)、2024年~2032年
図66:イタリア:ゲートドライバーIC市場:販売金額(単位:百万USドル)、2018年および2023年
図67:イタリア:ゲートドライバーICゲートドライバーICの市場予測:販売金額(単位:百万USドル)、2024年~2032年
図 68:スペイン:ゲートドライバーIC市場:販売金額(単位:百万USドル)、2018年および2023年
図69:スペイン:ゲートドライバーICゲートドライバーIC市場予測:販売金額(単位:百万米ドル)、2024年~2032年
図 70:ロシア:ゲートドライバーICゲートドライバーIC市場:販売金額(単位:百万米ドル)、2018年および2023年
図71:ロシア:ゲートドライバーICゲートドライバーIC市場の予測:販売金額(単位:百万米ドル)、2024年~2032年
図72:その他ゲートドライバIC市場:販売金額(単位:百万米ドル)、2018年および2023年
図73:その他:ゲートドライバーICゲートドライバIC市場予測:販売金額(単位:百万米ドル)、2024年~2032年
図74:中南米:ゲートドライバIC市場:販売金額(単位:百万米ドル)、2018年および2023年
図75:中南米:ゲートドライバーIC市場の予測:販売金額(単位:百万米ドル)、2024年~2032年
図76:ブラジル:ゲートドライバーICゲートドライバーIC市場:販売金額(単位:百万米ドル)、2018年および2023年
図77:ブラジル:ゲートドライバーICゲートドライバーIC市場予測:販売金額(単位:百万米ドル)、2024年~2032年
図78:メキシコ:ゲートドライバーIC市場予測ゲートドライバーIC市場:販売金額(単位:百万USドル)、2018年および2023年
図79:メキシコ:ゲートドライバーICゲートドライバーIC市場の予測:販売金額(単位:百万USドル)、2024年~2032年
図80:その他:ゲートドライバーICゲートドライバーIC市場:販売金額(単位:百万米ドル)、2018年および2023年
図81:その他:ゲートドライバーICゲートドライバIC市場予測:販売金額(単位:百万米ドル)、2024年~2032年
図82:中東およびアフリカ:ゲートドライバIC市場:販売金額(単位:百万米ドル)、2018年および2023年
図83:中東およびアフリカ:ゲートドライバIC市場:国別構成比(単位:%)、2023年
図84:中東およびアフリカ:ゲートドライバIC市場予測:販売金額(単位:百万米ドル)、2024年~2032年
図 85:世界:ゲートドライバIC産業:SWOT分析
図86: 世界のゲートドライバIC産業:SWOT分析バリューチェーン分析
図87: 世界のゲートドライバIC業界:バリューチェーン分析ポーターのファイブフォース分析

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★リサーチレポート[ ゲートドライバICの世界市場:トランジスタタイプ(MOSFET、IGBT)、半導体材料(Si、SiC、GaN)、実装形態(オンチップ、ディスクリート)、絶縁技術(磁気絶縁、容量性絶縁、光絶縁)、用途(住宅、産業、商業)、地域別 2024-2032(Gate Driver IC Market Report by Transistor Type (MOSFET, IGBT), Semiconductor Material (Si, SiC, GaN), Mode of Attachment (On-Chip, Discrete), Isolation Technique (Magnetic Isolation, Capacitive Isolation, Optical Isolation), Application (Residential, Industrial, Commercial), and Region 2024-2032)]についてメールでお問い合わせはこちらでお願いします。