◆英語タイトル：Compound Semiconductor Market Report by Type (III-V Compound Semiconductor, II-VI Compound Semiconductor, Sapphire, IV-IV Compound Semiconductor, and Others), Product (Power Semiconductor, Transistor, Integrated Circuits, Diodes and Rectifiers, and Others), Deposition Technology (Chemical Vapor Deposition, Molecular Beam Epitaxy, Hydride Vapor Phase Epitaxy, Ammonothermal, Atomic Layer Deposition, and Others), Application (IT and Telecom, Aerospace and Defense, Automotive, Consumer Electronics, Healthcare, Industrial and Energy and Power), and Region 2024-2032

◆商品コード：IMA05FE-Z1426 ◆発行会社（リサーチ会社）：IMARC ◆発行日：2024年3月 ◆ページ数：149 ◆レポート形式：英語 / PDF ◆納品方法：Eメール ◆調査対象地域：世界、日本 ◆産業分野：エレクトロニクスと半導体

世界の化合物半導体市場規模は2023年に1,177億米ドルに達した。今後、IMARC Groupは、2024年から2032年にかけて4.3%の成長率（CAGR）を示し、2032年までに1,736億米ドルに達すると予測している。高速エレクトロニクス需要の高まり、5G通信の拡大、電力効率の高いデバイス、自動車の進歩、LED照明の採用、IoTや再生可能エネルギー技術を含む新興アプリケーションなどが市場を推進する主な要因である。
化合物半導体は、周期表の異なるグループに属する2つ以上の元素から構成される半導体材料の一種である。単一の元素からなるシリコンやゲルマニウムなどの元素半導体とは異なり、化合物半導体は異なる元素を組み合わせて独自の電子特性を持つ結晶構造を形成する。これらの材料は、優れた電子移動度、広いエネルギー・バンドギャップ、高周波デバイス、オプトエレクトロニクス、電力増幅器などの特定の用途における性能向上などの利点を提供する。一般的な化合物半導体には、ガリウムヒ素（GaAs）、リン化インジウム（InP）、窒化ガリウム（GaN）などがあり、それぞれ調整可能な特性により特定の機能に合わせて調整されている。

高速・高周波通信システムへの需要の高まりと5Gネットワークの急速な進化が化合物半導体の必要性に拍車をかけ、主に市場成長を牽引している。これに伴い、ハイパワー、高周波アプリケーションで優れた性能を発揮する窒化ガリウム（GaN）とヒ化ガリウム（GaAs）の需要が高まっており、市場拡大の明るい見通しが生まれている。さらに、エネルギー効率の高いソリューションが注目されるようになったことで、パワーエレクトロニクスへの化合物半導体の採用が進み、市場の成長を後押ししている。これに加えて、発光ダイオード（LED）、レーザー、光検出器を含むオプトエレクトロニクスの用途拡大が、もう一つの重要な成長促進要因として作用している。リン化インジウム（InP）などの化合物半導体は、データ通信、センシング、イメージング技術の進歩を促進し、市場成長を後押ししている。さらに、ユニークな特性を持つ化合物半導体がさまざまな産業分野で受け入れられ、イノベーションを促進していることも、市場の成長に寄与している。

化合物半導体の市場動向/推進要因：
高周波通信と5Gネットワーク

高速・大容量通信システムへの需要の急増は、化合物半導体の極めて重要な原動力となっている。世界が5Gネットワークの展開に移行する中、化合物半導体は高周波で効率的に動作する能力により不可欠であり、市場拡大の有利な機会をもたらしている。さらに、窒化ガリウム（GaN）やヒ化ガリウム（GaAs）などの化合物半導体が、固有の特性により高周波性能に苦戦するシリコンを含む従来の元素半導体よりも好まれるようになったことも、市場拡大の一助となっている。さらに、高い電子移動度と強力な電力処理能力により、5G基地局、レーダーシステム、衛星通信機器でのGaNの採用が増加していることが、市場の成長を強化している。

パワーエレクトロニクスとエネルギー効率

エネルギー効率重視の高まりと再生可能エネルギー源の推進が、パワーエレクトロニクスにおける化合物半導体の採用に拍車をかけ、市場成長を促進している。シリコンベースの半導体は、高温・高電圧用途では限界がある。しかし、炭化ケイ素（SiC）のような材料は熱伝導性と耐圧に優れ、より効率的なエネルギー変換と電力損失の低減を可能にするため、市場の成長を促進している。これと同時に、エネルギー消費を最小限に抑え、持続可能性を高めるために、電気自動車（EV）、ソーラー・インバータ、産業用モーター・ドライブでSiCの使用が増加していることも、化合物半導体の成長促進に寄与している。

オプトエレクトロニクスとフォトニクスの進歩

オプトエレクトロニクスの進化は、リン化インジウム（InP）を含む化合物半導体の触媒となってきた。InPベースのデバイスは卓越した光学特性を持ち、高速データ通信からセンサーや画像技術に至るまで幅広い用途に適している。このほか、InPベースのレーザーと光検出器は、光通信システム、データセンター、LiDAR（光検出と測距）などの新技術に不可欠なコンポーネントであり、需要を押し上げている。これに加えて、化合物半導体はLEDや固体照明ソリューションの開発で重要な役割を果たしており、さまざまな分野でエネルギー効率の高い照明オプションを推進している。

化合物半導体産業のセグメンテーション
IMARC Groupは、化合物半導体の世界市場レポートの各セグメントにおける主要動向の分析と、2024年から2032年までの世界、地域、国レベルでの予測を提供しています。当レポートでは、市場をタイプ、製品、成膜技術、用途に基づいて分類しています。

タイプ別内訳

III-V族化合物半導体
窒化ガリウム
リン化ガリウム
ガリウムヒ素
リン化インジウム
アンチモン化インジウム
II-VI化合物半導体
セレン化カドミウム
テルル化カドミウム
セレン化亜鉛
サファイア
IV-IV化合物半導体
その他

III-V族化合物半導体が市場を独占

本レポートでは、市場をタイプ別に詳細に分類・分析している。これには、III-V化合物半導体（窒化ガリウム、リン化ガリウム、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、アンチモン化インジウム）、II-VI化合物半導体（セレン化カドミウム、テルル化カドミウム、セレン化亜鉛）、サファイア、IV-IV化合物半導体、その他が含まれる。同レポートによると、III-V化合物半導体が最大のセグメントを占めている。

窒化ガリウム（GaN）、リン化ガリウム、ヒ化ガリウム（GaAs）、リン化インジウム（InP）、アンチモン化インジウムを含むIII-V族化合物半導体の需要は、ニッチアプリケーションのブレークスルーを可能にするユニークな材料特性によって推進されている。GaNの卓越したパワーハンドリング能力は、ハイパワーエレクトロニクス、RFアンプ、5Gインフラにおける技術革新を牽引している。GaAsの高い電子移動度は、無線通信や航空宇宙用途の高速デバイスをサポートし、市場の成長を後押ししている。さらに、InPの優れた光学特性は高速光通信システムに不可欠であり、InSbは熱画像用の赤外線検出器に使用されている。この需要は、III-V族化合物半導体が特殊な領域で性能の限界を押し広げる上で極めて重要な役割を果たしていることを裏付けている。

製品別内訳：

パワー半導体
トランジスタ
集積回路
ダイオードおよび整流器
その他

パワー半導体がトップシェア

本レポートでは、製品に基づく市場の詳細な分類と分析も行っている。これには、パワー半導体、トランジスタ、集積回路、ダイオード・整流器、その他が含まれる。報告書によると、パワー半導体が最大の市場シェアを占めている。

炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）などのパワー化合物半導体は、エネルギー効率やパワーエレクトロニクスに大きな影響を与えるため、需要が急増しており、これが市場の主な推進要因の一つとなっている。さらに、SiCの高い熱伝導率と絶縁破壊電圧は、電気自動車、再生可能エネルギーシステム、産業機器のエネルギー変換を強化する。GaNの高い電子移動度は、コンパクトで効率的な電源を可能にし、民生用電子機器や電気自動車充電システムのフォームファクターの小型化に貢献する。産業界が性能の向上、エネルギー損失の低減、電力密度の向上を求める中、パワーコンパウンド半導体は重要なイネーブラーとして台頭し、さまざまなアプリケーションでの採用を促進し、市場拡大に貢献している。

成膜技術別内訳：

化学気相成長
分子線エピタキシー
ハイドライド気相成長法
アンモノサーマル
原子層蒸着
その他

化学気相成長法が市場を支配

同レポートでは、成膜技術に基づく市場の詳細な分類と分析を行っている。これには、化学蒸着、分子線エピタキシー、ハイドライド気相エピタキシー、アンモノサーマル、原子層蒸着、その他が含まれる。同レポートによると、化学蒸着が最大のセグメントを占めている。

化学気相成長法(CVD)は、化合物半導体市場で最大の成膜技術である。CVDは、高品質の化合物半導体に不可欠な薄膜材料の蒸着において、卓越した均一性と精度を提供し、これが市場成長を牽引している。さらに、幅広い材料に対応し、さまざまな基板に適合するため、汎用性の高い手法となっている。これに加えて、CVDのスケーラビリティと量産効率はメーカーにとって魅力的な選択肢であり、エレクトロニクス、オプトエレクトロニクス、太陽光発電などさまざまな用途で化合物半導体の需要を満たしている。

アプリケーション別内訳：

ITおよび電気通信
航空宇宙・防衛
自動車
コンシューマー・エレクトロニクス
ヘルスケア
産業・エネルギー・電力

ITと電気通信が市場で最大のシェアを占める

本レポートでは、アプリケーションに基づく市場の詳細な分類と分析も行っている。これには、IT・通信、航空宇宙・防衛、自動車、家電、ヘルスケア、産業・エネルギー・電力が含まれる。同レポートによると、IT・通信が最大の市場シェアを占めている。

IT・通信分野での化合物半導体の利用は、高速データ伝送、ネットワーキング、ワイヤレス通信に対する需要の高まりに対応する能力によって推進されている。窒化ガリウム（GaN）やリン化インジウム（InP）などのこれらの材料は、5Gインフラ、衛星通信、ブロードバンド拡大に不可欠な高周波、高効率デバイスの作成を可能にし、IT・通信業界のさまざまなアプリケーションでの採用を後押ししている。GaNの優れたパワーハンドリング特性はRFアンプや基地局の性能を高め、InPの卓越した光学特性は光通信システムの進歩を促進する。より高速で信頼性の高いコネクティビティを求め続ける業界において、化合物半導体は情報交換とデジタル変革の次の時代を実現する上で不可欠な役割を果たしている。

地域別内訳

北米
米国
カナダ
アジア太平洋
中国
日本
インド
韓国
オーストラリア
インドネシア
その他
ヨーロッパ
ドイツ
フランス
イギリス
イタリア
スペイン
ロシア
その他
ラテンアメリカ
ブラジル
メキシコ
その他
中東・アフリカ

アジア太平洋地域が明確な優位性を示し、化合物半導体市場で最大のシェアを占める。

本レポートでは、北米（米国、カナダ）、欧州（ドイツ、フランス、英国、イタリア、スペイン、ロシア、その他）、アジア太平洋（中国、日本、インド、韓国、オーストラリア、インドネシア、その他）、中南米（ブラジル、メキシコ、その他）、中東・アフリカの主要地域市場についても包括的に分析している。報告書によると、アジア太平洋地域が最大の市場シェアを占めている。

アジア太平洋地域の化合物半導体市場は、同地域の強固な製造能力、急速な技術進歩、最先端エレクトロニクスに対する急増する需要により、大きな推進力となっている。韓国、台湾、中国、日本などの国々が半導体大国として台頭し、化合物半導体の生産に競争的な環境を醸成している。これに加えて、この地域は民生用電子機器、5Gネットワークの拡大、自動車の技術革新に注力しており、高周波通信機器からパワーエレクトロニクスに至るアプリケーションで化合物半導体の採用を促進している。さらに、政府の戦略的イニシアティブと研究開発への投資が、世界の化合物半導体市場を形成する重要なドライバーとしてのアジア太平洋地域の地位を強化している。

競争環境：
世界の化合物半導体市場の競争環境は、技術の進歩と市場の需要に後押しされ、既存プレーヤーと新興コンペティターのダイナミックな相互作用によって特徴付けられる。主要な業界リーダーは、研究、開発、製造の専門知識を活用して、化合物半導体の多様なソリューションを提供し、大きな市場シェアを占めている。さらに、共同研究や戦略的買収により、その能力を高め、製品ポートフォリオを拡大している。同時に、新興企業は化合物半導体の生産に不可欠な高度な成膜・製造装置の提供で躍進している。また、通信、自動車、エネルギーなどの産業が融合し、従来の半導体大手がこの分野に参入して競争が激化していることも、市場の成長を後押ししている。

本レポートでは、市場の競争環境について包括的な分析を行った。主要企業の詳細なプロフィールも掲載している。同市場の主要企業には以下のようなものがある：

Infineon Technologies AG
マイクロチップ・テクノロジー社
三菱電機株式会社
NXPセミコンダクターズN.V.
オンセミ
Qorvo Inc.
ルネサス エレクトロニクス
STマイクロエレクトロニクス
テキサス・インスツルメンツ
WINセミコンダクターズ
ウルフスピード

最近の動向
2022年8月、Qorvo, Inc.は最高利得100ワットのLバンド（1.2-1.4GHz）小型ソリューションのリリースを確認した。これは商用および防衛レーダーアプリケーション向けのGaN-on-SiC PAMで、効率を高めた統合2段アンプソリューションを提供する。この卓越した性能により、システムの総消費電力が劇的に削減されます。
2022年8月、インフィニオン・テクノロジーズAGは、II-VIインコーポレイテッドとウエハーの複数年供給契約を締結した。この重要な半導体材料へのさらなるアクセスの獲得は、この業界における顧客需要の大幅な増加に対応することを目的としている。さらに、この契約は、インフィニオン・テクノロジーズAGのマルチソーシングへのアプローチを補完し、サプライチェーンの弾力性を高めるものである。
2022年8月、インフィニオンテクノロジーズAGとII-VIインコーポレイテッドは、この分野における顧客需要の大幅な増加に対応するため、SiCウエハーの複数年供給契約を締結した。

本レポートで扱う主な質問

1.2023年の化合物半導体の世界市場規模は？
2.2024-2032年の化合物半導体の世界市場成長率は？
3.化合物半導体の世界市場を牽引する主要因は？
4.COVID-19が化合物半導体の世界市場に与えた影響は？
5.化合物半導体の世界市場のタイプ別内訳は？
6.化合物半導体の世界市場の製品別内訳は？
7.化合物半導体の世界市場の成膜技術別の内訳は？
8.化合物半導体の世界市場の用途別内訳は？
9.化合物半導体の世界市場における主要地域は？
10.化合物半導体の世界市場における主要プレーヤー/企業は？